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热氧化法中温度对Ga203薄膜性质的影响

更新时间:2015-10-30

【摘要】利用干热氧化方法,对蓝宝石衬底上沉积的GaN薄膜进行热氧化处理制备出了Ga2 03薄膜,研究了氧化温度对Ga2 03薄膜的结构、形貌、氧化层厚度和化学组分的影响.X射线衍射结果显示,氧化后的GaN薄膜上形成了Ga2 03薄膜,当氧化温度处在850~950℃时,Ga2 0。薄膜呈现出单一的|9型结构,而当氧化温度高于1 000℃时,Ga2 03薄膜呈现出多晶结构,扫描电子显微镜测试显示,Ga2 03薄膜的表面由三角岛状结构组成,这些岛具有直线边界,岛的尺寸随着氧化温度的升高而逐渐增加.Ga2 03薄膜的厚度随着氧化温度的升商迅速增加,拟合结果显示,氧化层厚度和氧化温度之间为指数依赖关系,利用X射线能谱测试,研究了Ga2 03薄膜中元素组成情况

【关键词】

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